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[压电石英晶体技术资料]有关石英晶振各级温度系数与切角的关系2018年05月12日 09:34

一级、二级、三级温度系数a0、b0和c0不仅与参考温度有关，而且还与石英晶振切角有关。AT切型的a0、b0、c0随角度的变化率为：

αa0/αφ1=-5.15×10-6/oC度；

αb0/αφ1=-4.7×10-9/oC2度；

αc0/αφ1=2.0×10-12/oC3度；

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[压电石英晶体技术资料]AT切型石英晶体元件的频率方程和频率常数2018年05月12日 08:49: 晶振晶片的长度方向与X轴平行，厚度方向与Y轴平行。它的振动模式有两种激励方法：在Y方向的电场E2作用下，通过压电常数e'26和弹性刚度常数c'66，在Z'面上产生厚度切变振动，这种激励方式称为垂直场激励；在Z'方向的电场E'3作用下，通过压电常数e'36和弹性刚度常数c'66，在乙面上产生厚度切变振动，这种激励方式称为平行场激励。由于垂直场的设置比平行场的设置方便的多，因此，生产上通常都采用垂直场的激励方法。; 阅读（376）标签：

[压电石英晶体技术资料]分析厚度切变石英晶体元件的频率设计2018年05月11日 09:40: 厚度切变石英晶体元件频率适用范围为500KHz-350MHz以上，它是四种振动模式中,频率最高、频率范围最宽的一种振动模式。它的常用切型为AT和BT两种，用IRE标准符号表示为（yx1)φ1，其中φ1=35°附近时，为AT切型；φ1=-49°为附近时，为BT切型。特别是AT切型石英晶体元件具有频率范围宽、压电活力高、在宽温度范围（-55℃+85℃)内的频率温度特性好、晶片加工方便等优点，己成为目前应用最广泛的切型。; 阅读（88）标签：

[压电石英晶体技术资料]石英晶体的边界条件及应变2018年05月11日 09:31: 这样的边界条件称为边界自由条件。应该注意，边界自由条件表示边界上的应力等于零，而晶片内的应力一般并不等于零。但是在远低于石英晶体谐振频率的情况下，晶片内的应力也可近似认为等于零。所以在边界自由和低频的条件下测得的介电常数，才是自由介电常数εTmn。; 阅读（126）标签：石英晶体|石英晶体的边界条件及应变

[压电石英晶体技术资料]石英晶振的压电常数与切型独家讲解2018年05月11日 08:54

CEOB2B晶振平台以下给大家介绍的是有关石英晶振的压电常数与切型,在前面的文章中我们有提到过石英晶振切型的选择与弹性常数,欢迎需要了解的新老用户登入平台查看.

石英晶体元件是通过逆压电效应进行工作的，所以切型设计与压电常数有关。通过上节讨论，我们已经知道石英晶体压电常数矩阵为：

阅读（605）标签：

[压电石英晶体技术资料]探讨石英晶振的压电方程公式2018年05月11日 08:52: 石英晶振的弹性性质所遵循的力学规律是用弹性方程来表达的。弹性方程反映了应力张量T与应变张量S之间的线性关系。同样，晶振的压电性质所遵循的机电规律是用压电方程来表达的，压电方程反映了D、E、T、S四个量之间的线性关系。; 阅读（135）标签：石英晶振|探讨石英晶振的压电方程公式

[压电石英晶体技术资料]石英晶振逆压电效应如何表示2018年05月10日 10:16: 石英晶振的逆压电效应由上述讨论可知，既然形变能使压电晶体的电偶极矩发生变化，那么电偶极矩的变化也能使之产生形变。逆压电效应就是在电场的作用下，电偶极矩发生变化的同时产生形变。我们已经知道，石英晶体的正应变S1，S2和切应变S4。都能使电偶极矩在x方向分量发生变化。; 阅读（145）标签：石英晶振|石英晶振逆压电效应如何表示

[压电石英晶体技术资料]石英晶振的压电性质分析之晶振的正压电效应讲解2018年05月10日 09:46: 当石英晶体受到应力作用时，在它的表面上出现电荷，而且应力与面电荷密度之间存在线性关系，这个现象称为正压电效应。而当石英晶振受到电场作用时，在它的某些方向出现应变，而且电场强度与应变之间存在线性关系，这个现象称为逆压电效应。本节主要介绍石英晶体的结构与压电性质：正压电效应表达式和逆压电效应表达式。; 阅读（92）标签：

[压电石英晶体技术资料]石英晶振切型的选择与弹性常数2018年05月10日 08:59: CEOB2B晶振平台收集海内外上百种晶振品牌查询供应信息,同时为用户提供晶振,石英晶体振荡器,SAW滤波器,陶瓷谐振器等晶体元件的资料信息,任何有关晶振的信息你都可以在CEOB2B晶振平台查找的到.下面文章内容讲的是石英晶振切型的选择与弹性常数.; 阅读（279）标签：

[新闻动态]声表面滤波器幅频特性及结构示意图2018年05月09日 10:25: 声表面滤波器（SWA）虽为模拟器件，但由于其良好的滤波特性，在众多领域被广泛应用，特别是在有线电视系统中，图像中频滤波器、伴音滤波器、频道残留边带滤波器等SWAF器件均为实现邻频传输的关键。除此之外，在 GPS接收机中的前端滤波器，由于具有抗干扰能力强的特点，SAW器件也被大量采用。; 阅读（128）标签：声表面滤波器|声表面滤波器幅频特性及结构示意图

[新闻动态]石英晶体振荡器的电气原理及时钟代码公式2018年05月09日 09:44: 能够产生振荡电流的电路叫做振荡电路。一般由电阻、电感、电容，石英晶振等元件和电子器件所组成。由电感线圈l和电容器c相连而成的lc电路是最简单的一种石英晶体振荡器振荡电路，其固有频率为f=[sx(]1[]2πlc; 阅读（188）标签：石英晶体振荡器|石英晶体振荡器的电气原理及时钟代码公式

[压电石英晶体技术资料]有关SAW滤波器的设计讲解（二）2018年05月09日 09:27: 带有换能器和匹配电路的基板被放置在通常用作统一芯片外壳之一的公共外壳中.表面活性剂过滤器的特性主要取决于将电信号转换成声表面滤波器的频率选择过程,反之亦然,即这取决于SAW换能器,即,数量,几何尺寸和在所述转换器的电极的相互布置的拓扑结构,在相邻的电极（间隙长度）的电极连接到一个共同的求和轮胎的序列的重叠区域的长度.应用这种或那种转换器的拓扑结构,可以实现具有最多样化特征的滤波器.; 阅读（469）标签：

[压电石英晶体技术资料]有关SAW滤波器的设计讲解（一）2018年05月09日 09:03: SAW滤波器器件中的信息载体是弹性振荡的能量集中在固体的薄的近表面层中的波.压电石英晶体被用作传播介质.为了将电信号转换为声学和后向,并且还反射和改变声波的传播路径,使用施加到压电基板的表面的金属结构.声波的激发和接收是在表面活性剂的输入和输出转换器的帮助下进行的,其中电极的数量可以不同（从一个到几千）.; 阅读（148）标签：

[压电石英晶体技术资料]ILSI晶振集团MEMS和石英晶体振荡器的冲击和振动性能比较（二）2018年05月08日 09:25: 上一篇文章我们讲了ILSI晶振集团MEMS和石英晶体振荡器的冲击和振动性能比较,接下来我们讲分析实验后得出的结果.CEOB2B晶振平台在这里你可以找到来自海内外各款项品牌晶振,为你解决采购选型一切烦恼.; 阅读（103）标签：

[新闻动态]MEMS振荡器测试系统现状及未来展望（一）2018年05月08日 09:18: MEMS振荡器产品制造与经典的IC 最大区别在于其含有机械部分，封装环节占整个器件成本的大部分，如果在最终封装之后测出器件失效不但浪费成本，还浪费了研究和开发（R&D）、工艺过程和代工时间，因此，MEMS产品的晶圆级测试在早期产品功能测试、可靠性分析及失效分析中，可以降低产品成本和加速上市时间，对于微机电系统产业化非常关键。; 阅读（74）标签：MEMS振荡器|MEMS振荡器测试系统现状及未来展望

[压电石英晶体技术资料]ILSI晶振集团MEMS和石英晶体振荡器的冲击和振动性能比较（一）2018年05月08日 08:50: 所有电子产品在使用期间都会受到冲击和振动,包括石英晶振,贴片晶振产品.从口袋或背包中携带的移动消费产品所经历的运动到工业设备或航空航天应用的高振动水平,力量范围可以不一样.即使是建筑物中的静止产品也可能会受到附近风扇或其他设备的振动.因此,重要的是要考虑电子元件在冲击和振动情况下的表现.表1显示了各种环境下的典型加速度水平.; 阅读（250）标签：

[新闻动态]MEMS振荡器近几年的国内外发展状况2018年05月07日 10:54: 我国MEMS振荡器测试技术研究始于20世纪90年代初，经过20年的发展，初步形成了几个研究力量比较集中的地区，如京津、华东、东北、西南、西北地区等。由于SITIME硅晶振圆级测试的对象为立体微结构，其测试技术与传统IC晶圆测试相比有很大不同，难点主要体现在3个方面; 阅读（177）标签：MEMS振荡器|MEMS振荡器近几年的国内外发展状况

[新闻动态]设计PCB布局需考虑到的石英晶振2018年05月07日 09:44: 振荡电路中信号图案长度应尽可能短，尽可能减少杂散电容/电感。不应在振荡电路中使用插孔，否则会引起很大的EMI。接地或是信号通道不应置于多层电路板的中间层，从而与振荡电路重叠，因为这样一来，地面和石英晶振振荡电路间的杂散电容将会增加。; 阅读（205）标签：晶振|设计PCB布局需考虑到的石英晶振

[压电石英晶体技术资料]美国ILSI石英晶体振荡器频率测量指南2018年05月05日 09:28

每个数字电子设备都需要一个参考时钟,晶体振荡器被广泛用于实现这一目的.验证高性能器件的频率特性需要准确的频率测量.本文档概述了各种晶振频率测量方法和仪器,旨在帮助ILSI MMD MEMS振荡器的用户进行精确的频率测量.

常见的石英晶振频率测量问题

用不同频率计数器进行的测量不匹配

不同频率计数器测量结果之间的差异可能是由以下一个或多个原因引起的.

阅读（180）标签：

[新闻动态]SITIME硅晶振制作工艺过程2018年05月05日 09:11: 在结构加工成形后,通过选择腐蚀的方法将牺牲层腐蚀掉，使结构材料悬空于基片之上，形成各种形状的二维或三维结构。表面SITIME硅晶振MEMS加工技术工艺成熟，与IC工艺兼容性好，可以在单个直径为几十毫米的单晶硅基片上批量生成数百个MEMS装置。; 阅读（509）标签：SITIME硅晶振|SITIME硅晶振制作工艺过程

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