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[新闻动态]爱普生KHZ系列石英晶体谐振器2018年05月19日 09:40

Epson晶振创立于1891年7月，1970始建立Epson品牌2005年10月Seiko Epson 与Toyo Communication之石英晶体部门合并成为Epson Toyocom Corporation。目前为全球最大的石英晶体产品供应商，产品品质优异，技术发展亦居于领导地位。

为提供客户高品质及可靠的产品及服务，Epson Toyocom 所生产的石英晶振,石英晶体振荡器在早期即取得ISO9000 series认证，至今全球所有分支机构均符合ISO9001认证,另外也取得ISO/TS16949汽车品质系统认证。

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[压电石英晶体技术资料]分析讲解当石英晶振频率f>20MHz时的温度系数2018年05月19日 08:56: 当石英晶振频率f>20MHz时，尽量采用长度在Z’方向,宽度在x方向的长条片，一是宽度可以选择几种即可，二是性能一致性好，但切角要重新试验确定。其计算方法是：上述的长度计算变为宽度计算，宽度计算变为长度计算，石英晶振频率温度曲线的一次温度系数a0。与Wx/t的关系见下图3.6.7。; 阅读（1022）标签：

[压电石英晶体技术资料]测试分析石英晶振腐蚀率系数2018年05月18日 09:27

实际应用的腐蚀系数KF的确定。首先根据最后研磨砂号确定理论腐蚀系数KF’

根据终磨或滚倒频率的正误差△fy除以f2nMHz得△Ky，根据腐蚀石英贴片晶振频率的负误差计算 kf= 实际应用的腐蚀系数为KF=KF’+△Ky’+△KF。其意义在于使每片石英片的腐蚀系数至少达到理论腐蚀系数。

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[压电石英晶体技术资料]石英晶振有关的弹性刚度常数与切角选择2018年05月18日 09:02: 若测量电路的电阻远小于石英晶振的电阻，则可以近似地认为外电路处于短路状态，这时电极面上没有电荷积累。所以石英片内的电场强度E=0(或常数)，这样的电学边界条件称为短路条件，在该条件测得的弹性常数叫短路弹性常数如cijE或sijE; 阅读（133）标签：

[关于我们]从直插晶体到贴片晶体谁是最大推力2018年05月17日 11:34: 压电石英晶体其实早已面向SMD晶振领域发展了，只是现在的速度在加快进行中。更何况贴片晶振价格利润方面也比较可观。贴片晶振已成为市场的主流，更多的应用于无线通信和便携数码产品领域。; 阅读（92）标签：直插晶振|贴片晶振

[压电石英晶体技术资料]详细介绍矩形石英晶振片宽度的选择以及分析结果2018年05月17日 09:26: 当矩形石英晶振片的宽度等于上面两个数值时,主振动将与y’面切变振动的17次和19次泛音发生强耦合作用。如果矩形石英晶振片的宽度选择在w17和w19之间某个数值,(当然也不要选在w18=5.715mm处)，就可以避免与y’面切变振动发生耦合了。从该例中，我们选择w=5.48-003mm。; 阅读（183）标签：

[压电石英晶体技术资料]AT切型矩形石英晶振片的设计2018年05月17日 09:02: AT切型矩形石英晶振片的设计主要是如何选择石英片的长、宽尺寸的问题。长宽选择不当，就会引起其它振动模式的耦合作用。例如与y面切变耦合或与xy弯曲振动耦合等。这些振动如果与主振动发生强耦合作用，晶体元件性能就将恶化,甚至在某些温度点上造成停振。; 阅读（511）标签：

[压电石英晶体技术资料]石英晶振晶片设计原理2018年05月16日 10:35: 在一般工程设计中,利用相似性原理,可以使计算大为简化。所谓相似性原理，就是两个性质完全相同的物体，当它们的外形一样而尺寸成比例时，则这两个物体的频率也有同样的比例关系。在石英晶振元件设计中，也采用这个原理，但应该注意，用这个方法计算得到的结果还需要经过实验验证。; 阅读（143）标签：石英晶振|石英晶振晶片设计原理

[压电石英晶体技术资料]石英晶体的动态电容2018年05月15日 10:29: 石英晶体与空气的摩擦(表面损耗)形成的阻力有关。可通过对外盒抽真空以减小损耗,与温补晶振表面微粒间的摩擦有关。可提高石英片表面光洁度,控制腐蚀量,减小砂痕、沙坑、提高银层的牢固度及整体性来减小,与贴片晶振的内摩擦,自由振动时内部晶格的变化,产生内应力及加工过程中形成的内应力而引起内部损耗有关。; 阅读（134）标签：石英晶体|石英晶体的动态电容

[压电石英晶体技术资料]石英晶振片切角的确定(二)2018年05月14日 09:40

在确定石英晶振片切角误差时,还应对照图3.2.5曲线,估计有无加工的可能性。对于AT切由XX’角误差引起的ZZ’角之测试误差见图3.2.6

【例】对于HC-49U/s-SMD-8000KHlz规格进行晶振频率温度特性测试,并修正切角。

(1) 其石英片规格为石英片长度Lx=7.995mm,Wz=1.985mm,最后滚倒频率为fG=7865±15KHz,石英片厚度tG=0.212mm,平台长轴LX=5.77mm,倒边半径R=60mm,留边量t0≤0.08mm,切型切角为AT35°13’±1’。

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[压电石英晶体技术资料]如何确定石英晶体各级温度系数（二）2018年05月14日 08:52: 除了用频率温度特性来描写晶体元件的温度特性外,还经常用频率温度系数来表示石英晶体元件的温度特性,各级频率温度系数的数值,以及这些系数随切角的变化率,将表中有关数据代入下式,即可作出所需的频率温度特性曲线.ceob2b晶振平台一一给您讲解
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div>; 阅读（130）标签：石英晶体|石英晶体频率稳定曲线方程图

[压电石英晶体技术资料]频率温度特性曲线与特性方程2018年05月12日 09:06: 石英晶振作为一个频率元件，当然频率是至关重要的一项指标，频率直接影响着一个产品的是否优良性能，更是直接决定使用在哪方面领域的一个指标。下面CEOB2B晶振平台给大家介绍关于晶振的频率温度曲线和特性方程。; 阅读（136）标签：石英晶振|石英晶振频率特性及方程

[压电石英晶体技术资料]AT切型石英晶体元件的频率方程和频率常数2018年05月12日 08:49: 晶振晶片的长度方向与X轴平行，厚度方向与Y轴平行。它的振动模式有两种激励方法：在Y方向的电场E2作用下，通过压电常数e'26和弹性刚度常数c'66，在Z'面上产生厚度切变振动，这种激励方式称为垂直场激励；在Z'方向的电场E'3作用下，通过压电常数e'36和弹性刚度常数c'66，在乙面上产生厚度切变振动，这种激励方式称为平行场激励。由于垂直场的设置比平行场的设置方便的多，因此，生产上通常都采用垂直场的激励方法。; 阅读（359）标签：

[压电石英晶体技术资料]石英晶振的压电常数与切型独家讲解2018年05月11日 08:54

CEOB2B晶振平台以下给大家介绍的是有关石英晶振的压电常数与切型,在前面的文章中我们有提到过石英晶振切型的选择与弹性常数,欢迎需要了解的新老用户登入平台查看.

石英晶体元件是通过逆压电效应进行工作的，所以切型设计与压电常数有关。通过上节讨论，我们已经知道石英晶体压电常数矩阵为：

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[压电石英晶体技术资料]探讨石英晶振的压电方程公式2018年05月11日 08:52: 石英晶振的弹性性质所遵循的力学规律是用弹性方程来表达的。弹性方程反映了应力张量T与应变张量S之间的线性关系。同样，晶振的压电性质所遵循的机电规律是用压电方程来表达的，压电方程反映了D、E、T、S四个量之间的线性关系。; 阅读（131）标签：石英晶振|探讨石英晶振的压电方程公式

[压电石英晶体技术资料]石英晶振逆压电效应如何表示2018年05月10日 10:16: 石英晶振的逆压电效应由上述讨论可知，既然形变能使压电晶体的电偶极矩发生变化，那么电偶极矩的变化也能使之产生形变。逆压电效应就是在电场的作用下，电偶极矩发生变化的同时产生形变。我们已经知道，石英晶体的正应变S1，S2和切应变S4。都能使电偶极矩在x方向分量发生变化。; 阅读（140）标签：石英晶振|石英晶振逆压电效应如何表示

[关于我们]爱普生晶振常用差分输出振荡器参数介绍2018年05月10日 10:01: 石英晶振有源化，一些高端的产品以目前的技术条件下，是绝对离不开有源晶振的，比如一些网络交换仪，或者是通讯产品，通信的基站等等，随着移动通信产品使用的人越来越多，基站也得到大批量的增加，所以有源晶振也从最初的普通-20--+70度普及到现在的-40度-85度之间，甚至更高的要求，至此日本爱普生株式会社在技术上不断的提升，使自身产品得到市场广大的认可！; 阅读（178）标签：爱普生晶振|差分输出振荡器

[新闻动态]石英晶体振荡器的电气原理及时钟代码公式2018年05月09日 09:44: 能够产生振荡电流的电路叫做振荡电路。一般由电阻、电感、电容，石英晶振等元件和电子器件所组成。由电感线圈l和电容器c相连而成的lc电路是最简单的一种石英晶体振荡器振荡电路，其固有频率为f=[sx(]1[]2πlc; 阅读（157）标签：石英晶体振荡器|石英晶体振荡器的电气原理及时钟代码公式

[关于我们]一起动手—万能晶振检测仪2018年05月08日 14:58: 用一般的万用表是不能测出晶振的好坏的，这里提供了一种简单而实用的晶振检验器，它只采用一个 N 沟道结型场效应管（FET），两个普通 NPN 小功率晶体三极管，一个发光管和一些阻容元件，便可有效的检验任何晶振的好坏。; 阅读（79）标签：晶振检测|晶振好坏

[新闻动态]MEMS振荡器测试系统现状及未来展望（一）2018年05月08日 09:18: MEMS振荡器产品制造与经典的IC 最大区别在于其含有机械部分，封装环节占整个器件成本的大部分，如果在最终封装之后测出器件失效不但浪费成本，还浪费了研究和开发（R&D）、工艺过程和代工时间，因此，MEMS产品的晶圆级测试在早期产品功能测试、可靠性分析及失效分析中，可以降低产品成本和加速上市时间，对于微机电系统产业化非常关键。; 阅读（67）标签：MEMS振荡器|MEMS振荡器测试系统现状及未来展望

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