爱普生晶振VG5032EDN是一款VCXO压控晶振,支持LV-PECL输出差分晶体振荡器,小体积晶振尺寸5.0x3.2mm有源晶振,六脚贴片晶振,电源电压3.3V,宽频率范围85MHz至170MHz,工作温度范围-40℃至+85℃(+105℃),具有超小型,轻薄型,低电源电压,低抖动,低功耗,低损耗,低耗能,低电平,低相位噪声等特点,已是通信机、移动电话、寻呼机、全球定位系统(GPS)等众多电子应用系统必不可少的关键部件。
VG5032EDN压控晶振X1G004911003000应用于全球定位系统
爱普生晶振TG-5510CA,是一种高稳定性的TCXO温补晶振,支持CMOS或限幅正弦输出,小体积晶振尺寸7.0x5.0mm,10脚贴片晶振,有源晶振,电源电压3.3V,频率范围提供10MHz至54MHz,小体积轻薄型,具有低电源电压,低抖动,低功耗,低相位噪声,耐高温,高稳定性等特点,温度可达105℃高温,高稳定性温补晶振,通常应用到工业,汽车电子,通信网络,5G基站,网络同步,BTS等大型高端设备上。
TG-5510CA温补晶振X1G006001004514用于5G基站应用
爱普生晶振自成立以来,一直在不断的开发研究当中,通过追求以QMEMS技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客。不断的向市场推出新型的小体积贴片晶振。满足市场上对小型电子元器件的需求。爱普生编码X1A000061003200晶振,此款石英晶体谐振器是一款频率为32.768K晶振,体积为2012贴片晶振,该系列产品可直接采用自动贴片机高速焊接,满足无铅高温回流焊接曲线要求.
32.768k晶振X1A000061002400适用于智能手机应用
爱普生晶振SG7050CAN,是一款CMOS输出石英晶体振荡器,小体积尺寸7.0x5.0mm四脚贴片晶振,频率范围:4MHz至72MHz,1.6V至3.63V的宽工作电源电压和宽工作温度范围从-40℃到+105℃,其中有源晶振编码X1G004481026200,频率24.000MHz,频率容差±50ppm,工作温度-40℃到+105℃,是爱普生有源晶振中的热销型号之一,具有小体积轻薄型,低抖动,低功耗,低电源电压,耐热及耐环境等特点,符合工业级标准。非常适用于物联网、移动设备,通讯模块,USB、GPS系统、光纤通道、千兆以太网以及工控类IC时钟芯片,为网络设备提供稳定的时钟信号。
7050有源晶振X1G004481026200通讯模块专用晶振
日本进口爱普生晶振TG5032CFN,是一款CMOS输出石英晶体振荡器,小体积晶振尺寸5.0x3.2mm有源晶振,四脚贴片晶振,具有超高稳定性温度补偿晶振,电源电压:2.375V至3.63V,频率范围:10MHz至40MHz。TG5032CFN有源晶振具有超小型,轻薄型,低电源电压,低抖动,低功耗,低相位噪声,低损耗,低耗能等特点。适用于医疗设备,汽车电子,移动通讯,GPS定位,无线蓝牙,智能手机,可穿戴设备等。
lora模块低抖动温补晶振TG5032CFN编码X1G005391001500
爱普生是日本有名的频率元件制造商,专业生产销售石英晶振,石英晶体振荡器,贴片晶振,晶体滤波器等.发展至今已是国际有名的晶体元件制造商,致力于为客户提供高性能,高可靠,高品质晶振产品。
TG2520SMN高精度温补晶振X1G005421021127适用于GPS应用
很多晶振的编码涵盖品牌,型号,频率,精度,负载/电压,温度,阻抗等信息。爱普生的晶振编码无源晶振系列MHZ所采用的前三个字均为“X1E”表示,而KHZ系列则是“X1A”表示,爱普生有源晶振则是用的“X1G”所表示的.这样看来是不是挺有规律的呢,第一眼就可以知道这款晶振编码是有源还是无源系列.
爱普生晶振TG5032SFN,是一款温补晶体振荡器,小体积尺寸5.0x3.2mm有源晶振,四脚贴片晶振,电源电压2.375V至3.63V,频率范围10MHz至40MHz,工作温度-40℃至+85℃,其中编码X1G005401000900,频率为20.000MHz,+/- 1.0ppm,是爱普生有源晶振的热销型号之一。具有超小型,轻薄型,低电源电压,低抖动,低功耗,低损耗,低耗能,高稳定性、快速起振等性能,该产品被广泛用于移动通讯,汽车电子,蓝牙AOA定位,智能手机,平板电脑,智能家居,LED显示屏等。
蓝牙AOA定位温补晶振TG5032SFN编码X1G005401000900
5G通信网中PAM4光模块专用晶振SG3225EEN编码X1G005221000800
爱普生晶振XG-2121CA和XG-2102CA是一款低抖动表面声波(SAW)振荡器,支持LV-PECL和LVDS输出差分晶体振荡器,小体积晶振尺寸7.0x5.0mm有源晶振,6脚贴片晶振,输出频率范围从100MHz到700MHz,XG-2121CA器件适用于使用2.5V电源电压的应用,而XG-2102CA器件适用于使用3.3V电源电压的应用。该产品具有小体积轻薄型,低电源电压,低抖动,高精度,高品质等特点,被广泛应用于5G通讯设备、机顶盒、光端机、安防设备、路由器/交换机、仪器仪表、SATA,SAS,光纤通信,10G以太网及各种频率控制设备上。
罗拉LORA模块专用晶振X1M000311001400
TG-5006CJ晶振具有稳定的高精度输出,工作温度范围-30℃~+85℃,其频率随温度变化的稳定度最高可达±0.5ppm,极高的温度稳定性,可完美适用于GPS设备中。同时,TG-5006CJ作为一款压控温度补偿晶体振荡器,可通过温度补偿电路降低由于环境温度变化导致石英晶体振荡器输出频率的变化,进一步提升晶体振荡器输出频率的稳定度,TG-5006CJ的频率控制范围可达±8.0~±15.0ppm。
TG-5006CJ晶振X1G004131001700应用于GPS设备上的温补晶体振荡器
爱普生晶振SG-9101系列是具有CMOS输出的可编程晶振系列。 虽然这一系列提供了与早期类似的频率和其它参数的同样容易的可编程性,Epson爱普生产品,它们还具有更宽的工作温度范围,上限为105℃。此外2.5x2.0mm封装有助于电子制造商节省电路板空间,振荡器还提供以下常见封装尺寸:3.2x2.5mm、5.0x3.2mm和7.0x5.0mm。 该四脚贴片晶振被广泛应用于5G通讯、工业控制、车载、消费电子、光电技术及各种变频调速设备等通讯设备。
可编程晶振X1G005291002800具有CMOS输出可以满足任何频点的晶体振荡器
416F26022CKR西迪斯晶振416F24033CLR美国进口晶振416F26022CKR小体积晶振416F24033CSR压电石英晶体416F26022CKR石英晶体416F24033CTR高端晶振416F27022CKR无源晶振416F24035AAR西迪斯晶振416F27022CKR石英晶体谐振器416F24035ADR小体积晶振416F27022CKR晶振416F24035AKR石英晶体416F48022CKR欧美晶振416F24035ALR无源晶振416F48022CKR美国CTS晶振416F24035ASR石英晶体谐振器416F48022CKR进口晶振416F24035ATR晶振416F52022CKR1612贴片晶振416F24035CAR欧美晶振416F52022CKR贴片晶振416F24035CDR美国CTS晶振416F52022CKR金属面晶振416F24035CKR进口晶振416F24022IKR贴片石英晶体416F24035CLR1612贴片晶振416F24022IKR美国晶振416F24035CSR贴片晶振416F24022IKR进口贴片晶振416F24035CTR金属面晶振416F32022IKR美国进口晶振416F240X2AAR贴片石英晶体416F32022IKR压电石英晶体416F240X2ADR美国晶振416F32022IKR高端晶振416F240X2AKR进口贴片晶振416F48022IKR西迪斯晶振416F240X2ALR美国进口晶振416F48022IKR小体积晶振416F240X2ASR压电石英晶体416F48022IKR石英晶体416F240X2ATR高端晶振416F52022IKR无源晶振416F240X2CAR西迪斯晶振416F52022IKR石英晶体谐振器416F240X2CDR小体积晶振416F52022IKR晶振416F240X2CKR石英晶体416F32022CKR欧美晶振416F240X2CLR无源晶振416F32022CKR美国CTS晶振416F240X2CSR石英晶体谐振器416F32022CKR进口晶振416F240X2CTR晶振416F30022CKR1612贴片晶振416F240X3AAR欧美晶振416F30022CKR贴片晶振416F240X3ADR美国CTS晶振416F30022CKR金属面晶振416F240X3AKR进口晶振416F36022CKR贴片石英晶体416F240X3ALR1612贴片晶振416F36022CKR美国晶振416F240X3ASR贴片晶振416F36022CKR进口贴片晶振416F240X3ATR金属面晶振416F40022CKR美国进口晶振416F240X3CAR贴片石英晶体416F40022CKR压电石英晶体416F240X3CDR美国晶振416F40022CKR高端晶振416F240X3CKR进口贴片晶振416F44022CKR西迪斯晶振416F240X3CLR美国进口晶振416F44022CKR小体积晶振416F240X3CSR压电石英晶体416F44022CKR石英晶体416F240X3CTR高端晶振416F26022IKR无源晶振416F240XXAAR西迪斯晶振416F26022IKR石英晶体谐振器416F240XXADR小体积晶振416F26022IKR晶振416F240XXAKR石英晶体416F36022IKR欧美晶振416F240XXALR无源晶振416F36022IKR美国CTS晶振416F240XXASR石英晶体谐振器416F36022IKR进口晶振416F240XXATR晶振416F40022IKR1612贴片晶振416F240XXCAR欧美晶振416F40022IKR贴片晶振416F240XXCDR美国CTS晶振416F40022IKR金属面晶振416F240XXCKR进口晶振416F24011AAR贴片石英晶体416F240XXCLR1612贴片晶振416F24011ADR美国晶振416F240XXCSR贴片晶振416F24011AKR进口贴片晶振416F240XXCTR金属面晶振416F24011ALR美国进口晶振416F25011AAR贴片石英晶体416F24011ASR压电石英晶体416F25011ADR美国晶振416F24011ATR高端晶振416F25011AKR进口贴片晶振416F24011CAR西迪斯晶振416F25011ALR美国进口晶振416F24011CDR小体积晶振416F25011ASR压电石英晶体416F24011CKR石英晶体416F25011ATR高端晶振416F24011CLR无源晶振416F25011CAR西迪斯晶振416F24011CSR石英晶体谐振器416F25011CDR小体积晶振416F24011CTR晶振416F25011CKR石英晶体416F24012AAR欧美晶振416F25011CLR无源晶振416F24012ADR美国CTS晶振416F25011CSR石英晶体谐振器416F24012AKR进口晶振416F25011CTR晶振416F24012ALR1612贴片晶振416F25012AAR欧美晶振416F24012ASR贴片晶振416F25012ADR美国CTS晶振416F24012ATR金属面晶振416F25012AKR进口晶振416F24012CAR贴片石英晶体416F25012ALR1612贴片晶振416F24012CDR美国晶振416F25012ASR贴片晶振416F24012CKR进口贴片晶振416F25012ATR金属面晶振416F24012CLR美国进口晶振416F25012CAR贴片石英晶体416F24012CSR压电石英晶体416F25012CDR美国晶振416F24012CTR高端晶振416F25012CKR进口贴片晶振416F24013AAR西迪斯晶振416F25012CLR美国进口晶振416F24013ADR小体积晶振416F25012CSR压电石英晶体416F24013AKR石英晶体416F25012CTR高端晶振416F24013ALR无源晶振416F25013AAR西迪斯晶振416F24013ASR石英晶体谐振器416F25013ADR小体积晶振416F24013ATR晶振416F25013AKR石英晶体416F24013CAR欧美晶振416F25013ALR无源晶振416F24013CDR美国CTS晶振416F25013ASR石英晶体谐振器416F24013CKR进口晶振416F25013ATR晶振416F24013CLR1612贴片晶振416F25013CAR欧美晶振416F24013CSR贴片晶振416F25013CDR美国CTS晶振416F24013CTR金属面晶振416F25013CKR进口晶振416F2401XAAR贴片石英晶体416F25013CLR1612贴片晶振416F2401XADR美国晶振416F25013CSR贴片晶振416F2401XAKR进口贴片晶振416F25013CTR金属面晶振416F2401XALR美国进口晶振416F2501XAAR贴片石英晶体416F2401XASR压电石英晶体416F2501XADR美国晶振416F2401XATR高端晶振416F2501XAKR进口贴片晶振416F2401XCAR西迪斯晶振416F2501XALR美国进口晶振416F2401XCDR小体积晶振416F2501XASR压电石英晶体416F2401XCKR石英晶体416F2501XATR高端晶振416F2401XCLR无源晶振416F2501XCAR西迪斯晶振416F2401XCSR石英晶体谐振器416F2501XCDR小体积晶振416F2401XCTR晶振416F2501XCKR石英晶体416F24022AAR欧美晶振416F2501XCLR无源晶振416F24022ADR美国CTS晶振416F2501XCSR石英晶体谐振器416F24022AKR进口晶振416F2501XCTR晶振416F24022ALR1612贴片晶振416F25022AAR欧美晶振416F24022ASR贴片晶振416F25022ADR美国CTS晶振416F24022ATR金属面晶振416F25022AKR进口晶振416F24022CAR贴片石英晶体416F25022ALR1612贴片晶振416F24022CDR美国晶振416F25022ASR贴片晶振416F24022CKR进口贴片晶振416F25022ATR金属面晶振416F24022CLR美国进口晶振416F25022CAR贴片石英晶体416F24022CSR压电石英晶体416F25022CDR美国晶振416F24022CTR高端晶振416F25022CKR进口贴片晶振416F24023AAR西迪斯晶振416F25022CLR美国进口晶振416F24023ADR小体积晶振416F25022CSR压电石英晶体416F24023AKR石英晶体416F25022CTR高端晶振416F24023ALR无源晶振416F25023AAR西迪斯晶振416F24023ASR石英晶体谐振器416F25023ADR小体积晶振416F24023ATR晶振416F25023AKR石英晶体416F24023CAR欧美晶振416F25023ALR无源晶振416F24023CDR美国CTS晶振416F25023ASR石英晶体谐振器416F24023CKR进口晶振416F25023ATR晶振416F24023CLR1612贴片晶振416F25023CAR欧美晶振416F24023CSR贴片晶振416F25023CDR美国CTS晶振416F24023CTR金属面晶振416F25023CKR进口晶振416F24025AAR贴片石英晶体416F25023CLR1612贴片晶振416F24025ADR美国晶振416F25023CSR贴片晶振416F24025AKR进口贴片晶振416F25023CTR金属面晶振416F24025ALR美国进口晶振416F25025AAR贴片石英晶体416F24025ASR压电石英晶体416F25025ADR美国晶振416F24025ATR高端晶振416F25025AKR进口贴片晶振416F24025CAR西迪斯晶振416F25025ALR美国进口晶振416F24025CDR小体积晶振416F25025ASR压电石英晶体416F24025CKR石英晶体416F25025ATR高端晶振416F24025CLR无源晶振416F25025CAR西迪斯晶振416F24025CSR石英晶体谐振器416F25025CDR小体积晶振416F24025CTR晶振416F25025CKR石英晶体416F24033AAR欧美晶振416F25025CLR无源晶振416F24033ADR美国CTS晶振416F25025CSR石英晶体谐振器416F24033AKR进口晶振416F25025CTR晶振416F24033ALR1612贴片晶振416F25033AAR欧美晶振416F24033ASR贴片晶振416F25033ADR美国CTS晶振416F24033ATR金属面晶振416F25033AKR进口晶振416F24033CAR贴片石英晶体416F25033ALR1612贴片晶振416F24033CDR美国晶振416F25033ASR贴片晶振.
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增强现实/虚拟现实 (AR/VR)技术的应用早在几十年前就已经出现了,只是当时主要应用在一些极为有限的领域,直到近几年来,由于传感器、处理器、传输,显示和石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器等硬件技术的突破,它们的潜力才进一步被释放,并为广大消费者所知.特别是Google眼镜(Google Glass)、Facebook Oculus Go、HTC VIVE Focus,以及微软(Microsoft) HoloLens等专为AR/VR体验而打造且无需依赖智能手机或PC的独立式终端设备出现,再次点燃市场对AR/VR的热情.
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石英晶体振荡器的压电效应以及等效电路原理
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